El grupo utiliza este sistema para las siguientes aplicaciones:
- Metalización de pistas de circuitos impresos sobre substratos dieléctricos variados en los que previamente se ha grabado el patrón del circuito por medio de técnicas de fotolitografía.
- Recubrimiento de obleas de silicio con finas capas de SiO2 y/o Al2O3 para servir como mascara dura en procesos isotrópicos de excavado de silicio por métodos físico/químicos (Deep Reactive Ion Etching, DRIE).